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更新時(shí)間:2023-08-18
短波線陣芯片該銦鎵砷線陣探測(cè)器產(chǎn)品的截止波長(zhǎng)有1.45um、1.7um、2.2um和2.6um可選,所有產(chǎn)品都有非常低的暗電流和*性。該產(chǎn)品可以在LDB/LE(ITR)或LC(IWR)模式中選擇任意一種版本,LC版本用于快速掃描,并可選擇四種增益模式。其中一種增益模式可提供大的滿阱容量以使用于吸收光譜學(xué)方面的應(yīng)用。
短波線陣芯片產(chǎn)品特點(diǎn)
①可選擇波長(zhǎng)范圍:減少暗電流(1.45um)、標(biāo)準(zhǔn)(1.7um)、擴(kuò)展型(2.2um)、全波段(2.6um-只有LC可選);
②線陣長(zhǎng)度可選256、512或1024元,寬度對(duì)應(yīng)1/4、1/2和1英寸(6.4、12.8、25.6mm);
③大的滿阱容量、130或250Me-;
④像元寬度25或50um;
⑤像元高度250或500um用于光譜學(xué),像元正方形用于機(jī)器視覺(jué);
⑥密封的Kovar封裝;
⑦內(nèi)部集成1、2、3級(jí)溫度控制;采用低功耗熱電制冷器用于降低材料溫度。
短波線陣芯片參數(shù)選型表
銦鎵砷線陣選型表 | ||||
材料類(lèi)型 | 暗電流 | 前截止波長(zhǎng)(um)50% QE | 后截止波長(zhǎng)(um)50% QE | 中心波長(zhǎng)(um) |
1.45um | 1.3pA | 0.91 | 1.415 | 1.17 |
1.7um | 2.3pA | 0.91 | 1.650 | 1.36 |
2.2um | 10nA | 1.30 | 2.155 | 1.67 |
2.6um | 100nA | 1.64 | 2.410 | 1.84 |
封裝選項(xiàng)
1)LC/LSC ROIC
特點(diǎn):抗結(jié)霜、快照、IWR和ITR模式可選、多路輸出、低速到快速讀出、四種增益模式/滿阱設(shè)置、可選帶寬;
像元數(shù) | 像元尺寸 | 大輸 出頻率 | 1.45μm | 1.7μm | 2.2μm | 2.6μm |
256 | 50μm | 15.7K | / | / | T2 250μm | T2 250μm |
512 | 25μm | 91k | T2 500μm | T1、500μm T2、250μm T2、500μm LT、500μm | / | T2 250um
|
1024 | 25μm | 91k | T2 500μm | T1、500μm LT、500μm | T2 250μm | / |
2)LE/LSC ROIC
特點(diǎn):抗結(jié)霜、快照、ITR模式、一路輸出、低速到中速讀出、兩種增益模式/滿阱設(shè)置;
像元數(shù) | 像元尺寸 | 大輸出頻率 | 1.45μm | 1.7μm | 2.2μm | 2.6μm |
512 | 50μm | 1.25k | / | LT、500um RT、500um | T1、250μm T2、250μm | N/A |
1024 | 25μm | 1.25k | T2 500μm | T1、500um LT、500um | T1、250μm T2、250μm | N/A |
3)LDB/LSB ROIC
特點(diǎn):抗結(jié)霜、快照、ITR模式、一路輸出、低速到中速讀出、兩種增益模式/滿阱設(shè)置;
像元數(shù) | 像元尺寸 | 大輸出頻率 | 1.45μm | 1.7μm | 2.2μm | 2.6μm |
256 | 50μm | 5K | / | T1、500μm LT、500μm RT、500μm T2、500μm | T1、250μm T2、250μm RT、250μm T3、250μm | N/A |
256 | 25μm | 5k | / | T1、500μm RT、500μm | / | / |
512 | 25μm | 5k | T2、500μm RT、500μm | T1、500um LT、500μm T2、500μm RT、500μm | T1、250μm T2、250μm RT、250μm | N/A |
備注:①“/”為非標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品,可定制;
②“N/A”為不可定制;
③ ITR:邊積分邊讀出;IWR:先積分后讀出。