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MCT制冷探測(cè)器
簡(jiǎn)介
PV-2TE-n（n表示特性波長(zhǎng)，單位是微米）系列光電探測(cè)器是兩級(jí)的TE-制冷式紅外光電探測(cè)器。這些器件在2～11µm范圍內(nèi)的任意值可以優(yōu)化為高性能。他們的高性能和穩(wěn)定性可以通過(guò)近開(kāi)發(fā)的間隙（Hg，Cd，Zn）Te半導(dǎo)體優(yōu)化摻雜面和改進(jìn)的表面處理來(lái)獲得。標(biāo)準(zhǔn)可以供貨的探測(cè)器是帶BaF2視窗，并采用改進(jìn)的TO-8封裝。其他的封裝和視窗可以按需求供貨。可以按客戶定制器件的要求提供四象限單元、多元件陣列、特定封裝、連接器視窗和光濾波器。
MCT制冷探測(cè)器
參數(shù)
特性（@ 20ºC） | 單位 | LD-PV-2TE-3 | LD-PV-2TE-4 | LD-PV-2TE-5 | LD-PV-2TE-6 | LD-PV-2TE-8 | LD-PV-2TE-10.6 |
特性波長(zhǎng)λop | μm | 3 | 4 | 5 | 6 | 8 | 10.6 |
探測(cè)率: at λpeak at λop | cmHz1/2/W |
≥1?1011 ≥7?1010 |
≥4?1010 ≥3?1010 |
≥1.5?1010 ≥9?109 |
≥5?109 ≥2?109 |
≥4?108 ≥2?108 |
≥2?108 ≥1?108 |
響應(yīng)度 | A/W | ≥0.5 | ≥1 | ≥1.3 | ≥1.5 | ≥0.8 | ≥0.4 |
響應(yīng)時(shí)間τ | ns | ≤3** | ≤1** | ≤0.7** | ≤0.5** | ≤0.4** | ≤0.4** |
并聯(lián)電阻-光學(xué)面積 | Ω·cm 2 | ≥150 | ≥2 | ≥0.1 | ≥0.02 | ≥0.0002 | ≥0.0001 |
光學(xué)面積（長(zhǎng)×寬） 或直徑(圓形) | mm x mm mm | 0.025×0.025; 0.05×0.05; 0.1×0.1; 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2; ø 0.025; ø 0.05; ø 0.1; ø 0.25; ø 0.5; ø 1; ø 2; ø 3 | |||||
工作溫度 | K | 230 | |||||
視場(chǎng), F# | deg | 70, 0.87 | |||||
